ЕС центр - один из лидеров в области продажи и оперативной поставки электронных компонентов и оборудования.
Светодио?д — полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом, создающий оптическое излучение при пропускании через него электрического тока. Излучаемый свет лежит в узком диапазоне спектра, его спектральные характеристики зависят от химического состава использованных в нём полупроводников.
Хотя люминесценцию в карбиде кремния впервые наблюдал Раунд в 1907 году. Олег Лосев в Нижегородской радиолаборатории в 1923 г. показал, что она возникает вблизи спая. Теоретического объяснения явлению тогда не было.
В 1923 году, экспериментируя с детектирующим контактом на основе пары «карборунд — стальная проволока», Олег Лосев обнаружил на стыке двух разнородных материалов слабое свечение — электролюминесценцию полупроводникового перехода.
Обычные светодиоды изготавливаются из различных неорганических полупроводниковых материалов.
Цвет |
Материал полупроводника | |
Арсенид галлия (GaAs) Алюминия галлия арсенид (AlGaAs) | ||
Алюминия-галлия арсенид (AlGaAs) Галлия арсенид-фосфид (GaAsP) Алюминия-галлия-индия фосфид (AlGaInP) Галлия(III) фосфид (GaP) | ||
Галлия фосфид-арсенид (GaAsP) Алюминия-галлия-индия фосфид (AlGaInP) Галлия(III) фосфид (GaP) | ||
Галлия арсенид-фосфид (GaAsP) Алюминия-галлия-индия фосфид (AlGaInP) Галлия(III) фосфид (GaP) | ||
Индия-галлия нитрид (InGaN) / Галлия(III) нитрид (GaN) Галлия(III) фосфид (GaP) Алюминия-галлия-индия фосфид (AlGaInP) Алюминия-галлия фосфид (AlGaP) | ||
Селенид цинка (ZnSe) Индия-галлия нитрид (InGaN) Карбид кремния (SiC) в качестве субстрата Кремний (Si) в качестве субстрата — (в разработке) | ||
Индия-галлия нитрид (InGaN) | ||
Двойной: синий/красный диод, синий с красным люминофором, или белый с пурпурным пластиком | ||
Алмаз (235 nm) Нитрид бора (215 nm) Нитрид алюминия (AlN) (210 nm) Нитрид алюминия-галлия (AlGaN) Нитрид алюминия-галлия-индия (AlGaInN) | ||
Синий/ультрафиолетовый диод с люминофором; |